LP2305ALT1G
IC
SOT-23E
可供量大可议
LP2305ALT1G
特性：VDS = -20V。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.5A = 68mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-3A = 81mΩ。 RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-2A = 118mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 完全表征雪崩电压和电流。 改进的直通品质因数。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤
品牌
LRC
封装
SOT-23E
库存
1,760
货期
现货
LP2305ALT1G参数
| 封装 | SOT-23E |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1760 |
LP2305ALT1G概述
特性：VDS = -20V。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.5A = 68mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-3A = 81mΩ。 RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-2A = 118mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 完全表征雪崩电压和电流。 改进的直通品质因数。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤
LP2305ALT1G特性
暂无产品特性。
LP2305ALT1G应用领域
暂无应用领域。