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LP2301ELT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

LP2301ELT1G

场效应管(MOSFET) 110mΩ 20V 2.8A 1个P沟道

品牌

LRC

封装

SOT-23

库存

20,678

货期

现货

LP2301ELT1G参数

封装SOT-23
品牌LRC(乐山无线电)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))900mV
输入电容(Ciss)520pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存20,678
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)900mW
栅极电荷量(Qg)3.5nC@4.5V
反向传输电容(Crss)17pF

LP2301ELT1G概述

场效应管(MOSFET) 110mΩ 20V 2.8A 1个P沟道

LP2301ELT1G特性

暂无产品特性。

LP2301ELT1G应用领域

暂无应用领域。

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