LP2301ALT1G
IC
SOT-23E
可供量大可议
LP2301ALT1G
特性：VDS = -20V。 RDS(ON)， VGS@ -2.5V， IDS@ -2.0A = 150mΩ。 RDS(ON)， VGS@ -4.5V， IDS@ -2.8A = 110mΩ。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
品牌
LRC
封装
SOT-23E
库存
200
货期
现货
LP2301ALT1G参数
| 封装 | SOT-23E |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
LP2301ALT1G概述
特性：VDS = -20V。 RDS(ON)， VGS@ -2.5V， IDS@ -2.0A = 150mΩ。 RDS(ON)， VGS@ -4.5V， IDS@ -2.8A = 110mΩ。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
LP2301ALT1G特性
暂无产品特性。
LP2301ALT1G应用领域
暂无应用领域。