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LP137N3T5G
IC

SOT-883

可供量大可议

LP137N3T5G

场效应管(MOSFET) 1V@250uA 20V 900mA 1个P沟道 SOT-883-3

品牌

LRC

封装

SOT-883

库存

16,986

货期

现货

LP137N3T5G参数

封装SOT-883
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))890mΩ@1.8V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)54pF
类型P沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存16,986
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)400mW
栅极电荷量(Qg)1.4nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃

LP137N3T5G概述

场效应管(MOSFET) 1V@250uA 20V 900mA 1个P沟道 SOT-883-3

LP137N3T5G特性

暂无产品特性。

LP137N3T5G应用领域

暂无应用领域。

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