LP0701LG-G

P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET使用横向MOS结构和成熟的硅栅制造工艺， 结合了双极晶体管的功率处理能力和MOS器件的高输入阻抗及正温度系数特性。 该器件无热失控和热致二次击穿问题， 低阈值电压和低导通电阻特性适用于手持和电池供电应用。