LND4N65
IC
TO-220F
可供量大可议
LND4N65
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
品牌
LONTEN
封装
TO-220F
库存
1
货期
现货
LND4N65参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | LONTEN(龙腾半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
LND4N65概述
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
LND4N65特性
暂无产品特性。
LND4N65应用领域
暂无应用领域。