LND250K1-G
IC
SOT-23-3
可供量大可议
LND250K1-G
是高压N沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向DMOS技术。 栅极具有ESD保护。 适用于高压应用， 如常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大。
品牌
MICROCHIP
封装
SOT-23-3
库存
80
货期
现货
LND250K1-G参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
LND250K1-G概述
是高压N沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向DMOS技术。 栅极具有ESD保护。 适用于高压应用， 如常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大。
LND250K1-G特性
暂无产品特性。
LND250K1-G应用领域
暂无应用领域。