LND150N3-G-P003
IC
TO-92-3
可供量大可议
LND150N3-G-P003
是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向DMOS技术。 栅极具有ESD保护。 适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
品牌
MICROCHIP
封装
TO-92-3
库存
486
货期
现货
LND150N3-G-P003参数
| 封装 | TO-92-3 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 486 |
LND150N3-G-P003概述
是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向DMOS技术。 栅极具有ESD保护。 适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
LND150N3-G-P003特性
暂无产品特性。
LND150N3-G-P003应用领域
暂无应用领域。