LND150N3-G
IC
TO-92
可供量大可议
LND150N3-G
是高压 N 沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向 DMOS 技术， 栅极具备 ESD 保护。 非常适合在常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用领域使用。
品牌
MICROCHIP
封装
TO-92
库存
3
货期
现货
LND150N3-G参数
| 封装 | TO-92 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
LND150N3-G概述
是高压 N 沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向 DMOS 技术， 栅极具备 ESD 保护。 非常适合在常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用领域使用。
LND150N3-G特性
暂无产品特性。
LND150N3-G应用领域
暂无应用领域。