LND150K1-G
IC
SOT-23
可供量大可议
LND150K1-G
是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向DMOS技术。 栅极具有ESD保护。 适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
品牌
MICROCHIP
封装
SOT-23
库存
168
货期
现货
LND150K1-G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 168 |
LND150K1-G概述
是高电压N沟道耗尽型（常开）晶体管， 采用横向DMOS技术。 栅极具有ESD保护。 适用于常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等高压应用。
LND150K1-G特性
暂无产品特性。
LND150K1-G应用领域
暂无应用领域。