LND10N60
IC
TO-220F
可供量大可议
LND10N60
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。 漏源击穿电压（VDSS）600V， 漏极电流（ID）10A， 最大导通电阻（RDS(on)）0.9Ω， 典型栅极电荷（Qg）31.4 nC
品牌
LONTEN
封装
TO-220F
库存
11
货期
现货
LND10N60参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | LONTEN(龙腾半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
LND10N60概述
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。 漏源击穿电压（VDSS）600V， 漏极电流（ID）10A， 最大导通电阻（RDS(on)）0.9Ω， 典型栅极电荷（Qg）31.4 nC
LND10N60特性
暂无产品特性。
LND10N60应用领域
暂无应用领域。