LND01K1-G

双向、低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、高输入阻抗和高增益、低功率驱动要求、易于并联。 是一种低阈值、耗尽型（常开）晶体管， 采用先进的横向 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有 MOS 结构的特点是， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 晶体管的主体连接到栅极引脚， 因此沟道同时被栅极和主体夹断。 栅极引脚有一个二极管连接到漏极端子， 另一个二极管连接到源极端子。