LNC12N60
IC
TO-220
可供量大可议
LNC12N60
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。 漏源极击穿电压（VDSS）600V， 漏极电流（ID）12A， 导通电阻最大值（RDS(on)）0.75Ω， 栅极总电荷典型值（Qg, typ）40.8 nC
品牌
LONTEN
封装
TO-220
库存
1
货期
现货
LNC12N60参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | LONTEN(龙腾半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
LNC12N60概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。 漏源极击穿电压（VDSS）600V， 漏极电流（ID）12A， 导通电阻最大值（RDS(on)）0.75Ω， 栅极总电荷典型值（Qg, typ）40.8 nC
LNC12N60特性
暂无产品特性。
LNC12N60应用领域
暂无应用领域。