LN237N3T5G
自营可供
IC
SOT-883-3
LN237N3T5G
场效应管(MOSFET) 1.5V@250uA 30V 1.5A 1个N沟道
品牌
LRC
封装
SOT-883-3
交期
现货
批次
两年内
LN237N3T5G参数
| 封装 | SOT-883-3 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 55.8pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 6.5pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:1.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6,945 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 715mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | LN237N3T5G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 9e-06 |
LN237N3T5G概述
场效应管(MOSFET) 1.5V@250uA 30V 1.5A 1个N沟道
LN237N3T5G特性
- 快速开关
- 低导通电阻RDS(ON)
- 沟槽MOSFET技术
- 这是一款无铅器件
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
- 符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
LN237N3T5G应用领域
- 低端负载开关
- 电平转换电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用, 如数码相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。