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LN2324DT2AG
IC

DFN 2020-6S

可供量大可议

LN2324DT2AG

场效应管(MOSFET) 3W 20V 14A 1个N沟道

品牌

LRC

封装

DFN 2020-6S

库存

10,865

货期

现货

LN2324DT2AG参数

封装DFN 2020-6S
品牌LRC(乐山无线电)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存10,865
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)3W
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
类型N沟道

LN2324DT2AG概述

场效应管(MOSFET) 3W 20V 14A 1个N沟道

LN2324DT2AG特性

暂无产品特性。

LN2324DT2AG应用领域

暂无应用领域。

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