LN2312LT1G
IC
SOT-23(SOT-23-3)
可供量大可议
LN2312LT1G
场效应管(MOSFET) 750mW 20V 4.9A 1个N沟道
品牌
LRC
封装
SOT-23(SOT-23-3)
库存
24,439
货期
现货
LN2312LT1G参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 输入电容(Ciss) | 500pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:4.9A |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,439 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | LN2312LT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
LN2312LT1G概述
场效应管(MOSFET) 750mW 20V 4.9A 1个N沟道
LN2312LT1G特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计, 实现超低导通电阻
- 产品材料符合 RoHS 要求
- 以 S 为前缀, 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
- 符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 支持 2.5V 栅极驱动
- 更低的导通电阻
- 表面贴装封装
LN2312LT1G应用领域
暂无应用领域。