LMV358IDR
自营可供
IC
SOIC-8
LMV358IDR
运算放大器 1V/us 双路 15nA 1MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
两年内
LMV358IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年内 |
| 封装 | SOP-8 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V |
| 增益带宽积(GBW) | 1MHz |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ |
| 输入偏置电流(Ib) | 10pA |
| 输入电压噪声密度(eN) | 20nV/√Hz@10kHz |
| 静态电流(Iq) | 40uA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制 |
| 增益带宽积 | 通常在1MHz左右， 能满足大部分中高频应用的需求。 |
| 过压保护 | 内置的过压保护特性适合在不稳定的操作环境中使用。 |
| 分类 | 运算放大器 |
|---|---|
| 库存 | 8,562 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 放大器数 | 2 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| 压摆率(SR) | 600V/ms |
| 输入失调电流(Ios) | 10pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 65dB |
| 输出电流 | 20mA |
| 单电源电压 | 2.5V~5.5V |
| 输入电压范围 | 能够接受大范围的输入电压（通常为0V到V+）。 |
| 输出电流 | 每个运算放大器的输出电流可达50mA， 适合驱动较大的负载。 |
LMV358IDR概述
运算放大器 1V/us 双路 15nA 1MHz
LMV358IDR特性
- 双通道配置：LMV358IDR集成了两个独立的运算放大器， 能够在同一芯片上处理两个信号通道， 方便进行多通道信号处理的应用设计。
- 低功耗：该运算放大器的静态功耗非常低， 适合电池供电的设备， 能够有效延长电池使用时间。
- 宽电源电压范围：可在1.5V到32V的电源电压范围内稳定工作， 使其在多种应用场景下都能够实现高效运行。
- 高增益带宽积：LMV358IDR具备出色的增益带宽积特性， 适用于高频应用和需要高增益的场合。
- 高输入阻抗和低输出阻抗：这使得LMV358IDR能够轻松地与各种信号源和负载进行接口， 确保信号的完整性和准确性。
LMV358IDR应用领域
- LMV358IDR广泛应用于多个领域， 包括但不限于
- 音频信号处理：在音频设备中用于信号放大和处理， 以提供清晰且高保真的声音。
- 传感器信号调理：在环境监测、温度传感和气体传感器等应用中， 为微弱信号进行放大和转换。
- 信号采集系统：可用于数据采集系统中， 对模拟信号进行处理， 为ADC提供准确的输入信号。
- 电池供电设备：在需要低功耗运行的便携式设备中， LMV358IDR可以有效降低功耗， 延长电池寿命。