LMG3526R030RQSR
IC
VQFN-52
可供量大可议
LMG3526R030RQSR
带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET – 集成高精度栅极偏置电压 – 200V/ns FET 释抑 2MHz 开关频率 20V/ns 至 150V/ns 压摆率， 用于优化开关性能与缓解 EMI – 由 7.5V 至 18V 电源供电 强大的保护 响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护 – 硬开关时可承受 720V 浪涌 – 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护 高级电源管理 – 数字温度 PWM 输出 – LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD) LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD） 顶部冷却 12mm x 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开， 可实现超低的电源环路电感
品牌
TI
封装
VQFN-52
库存
3
货期
现货
LMG3526R030RQSR参数
| 封装 | VQFN-52 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
LMG3526R030RQSR概述
带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET – 集成高精度栅极偏置电压 – 200V/ns FET 释抑 2MHz 开关频率 20V/ns 至 150V/ns 压摆率， 用于优化开关性能与缓解 EMI – 由 7.5V 至 18V 电源供电 强大的保护 响应时间 < 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护 – 硬开关时可承受 720V 浪涌 – 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护 高级电源管理 – 数字温度 PWM 输出 – LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD) LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD） 顶部冷却 12mm x 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开， 可实现超低的电源环路电感
LMG3526R030RQSR特性
暂无产品特性。
LMG3526R030RQSR应用领域
暂无应用领域。