LM74930QRGERQ1
IC
VQFN-24-EP(4x4)
可供量大可议
LM74930QRGERQ1
理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET， 以模拟理想二极管整流器和电源路径的通断控制， 并具有过流和过压保护功能。 4V至65V的宽输入电源可保护和控制12V和24V汽车电池供电的ECU。 该器件可以承受低至 -65V的负电源电压， 并保护负载。 集成的高端栅极控制（HGATE）驱动电源路径中的第一个MOSFET
品牌
TI
封装
VQFN-24-EP(4x4)
库存
6,560
货期
现货
LM74930QRGERQ1参数
| 封装 | VQFN-24-EP(4x4) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 6560 |
LM74930QRGERQ1概述
理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET， 以模拟理想二极管整流器和电源路径的通断控制， 并具有过流和过压保护功能。 4V至65V的宽输入电源可保护和控制12V和24V汽车电池供电的ECU。 该器件可以承受低至 -65V的负电源电压， 并保护负载。 集成的高端栅极控制（HGATE）驱动电源路径中的第一个MOSFET
LM74930QRGERQ1特性
暂无产品特性。
LM74930QRGERQ1应用领域
暂无应用领域。