LM74912QRGERQ1

LM74912-Q1理想二极管控制器驱动并控制外部背靠背N沟道MOSFET， 以模拟具有电源路径开/关控制、过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。 3 V至65 V的宽输入电源范围可对12 V和24 V汽车电池供电的电子控制单元（ECU）进行保护和控制。 该器件能够承受低至 -65 V的负电源电压， 并保护负载免受其影响。 集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET， 以取代肖特基二极管， 实现反向输入保护和输出电压保持。 通过在电源路径中使用第二个MOSFET， 该器件可在过流和过压事件发生时， 利用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。 该器件集成了电流检测放大器， 可基于外部MOSFET的VDS检测提供短路保护， 且电流限制可调。 当检测到输出端出现短路情况时， 器件会锁存负载断开MOSFET。 该器件具备可调过压关断保护功能。 它还具有睡眠模式， 可实现超低静态电流消耗（6 μA）， 同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。 LM74912-Q1的最大电压额定值为65 V。