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LM385M-1.2/TR
IC

SOIC-8

可供量大可议

LM385M-1.2/TR

LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。

品牌

HGSEMI

封装

SOIC-8

库存

625

货期

现货

LM385M-1.2/TR参数

封装SOIC-8
品牌HGSEMI(华冠)
MOQ / SPQ1 / 5
分类电压基准芯片
库存625

LM385M-1.2/TR概述

LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。

LM385M-1.2/TR特性

暂无产品特性。

LM385M-1.2/TR应用领域

暂无应用领域。

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