LM385M-1.2/TR
IC
SOIC-8
可供量大可议
LM385M-1.2/TR
LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。
品牌
HGSEMI
封装
SOIC-8
库存
625
货期
现货
LM385M-1.2/TR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | HGSEMI(华冠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 625 |
LM385M-1.2/TR概述
LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。
LM385M-1.2/TR特性
暂无产品特性。
LM385M-1.2/TR应用领域
暂无应用领域。
