LM385DQ2-1.2/TR
IC
DFN-8(2x2)
可供量大可议
LM385DQ2-1.2/TR
LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。 由于LM385的带隙基准构成组件仅有晶体管和电阻, 所以电路具有很低的噪声和良好的长期稳定性。
品牌
HGSEMI
封装
DFN-8(2x2)
库存
3,795
货期
现货
LM385DQ2-1.2/TR参数
| 封装 | DFN-8(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HGSEMI(华冠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 3795 |
LM385DQ2-1.2/TR概述
LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。 由于LM385的带隙基准构成组件仅有晶体管和电阻, 所以电路具有很低的噪声和良好的长期稳定性。
LM385DQ2-1.2/TR特性
暂无产品特性。
LM385DQ2-1.2/TR应用领域
暂无应用领域。
