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LM385DQ2-1.2/TR
IC

DFN-8(2x2)

可供量大可议

LM385DQ2-1.2/TR

LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。 由于LM385的带隙基准构成组件仅有晶体管和电阻, 所以电路具有很低的噪声和良好的长期稳定性。

品牌

HGSEMI

封装

DFN-8(2x2)

库存

3,795

货期

现货

LM385DQ2-1.2/TR参数

封装DFN-8(2x2)
品牌HGSEMI(华冠)
MOQ / SPQ1 / 5
分类电压基准芯片
库存3795

LM385DQ2-1.2/TR概述

LM385是一种双极工艺技术制作的微功耗带隙基准电压源。 它可在10μA~20mA工作电流范围内提供稳定的电压基准, 具有很低的动态电阻和良好的温度稳定性。 芯片内置的基准调整机构保证了极小的输出电压容差。 由于LM385的带隙基准构成组件仅有晶体管和电阻, 所以电路具有很低的噪声和良好的长期稳定性。

LM385DQ2-1.2/TR特性

暂无产品特性。

LM385DQ2-1.2/TR应用领域

暂无应用领域。

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