LM358BAIDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
LM358BAIDR
运算放大器 0.5V/us 双路 10nA 1.2MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
38,624
货期
现货
LM358BAIDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 25+ |
| 放大器数 | 2 |
| 增益带宽积(GBW) | 1.2MHz |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 3.5uV/℃ |
| 输入偏置电流(Ib) | 35nA |
| 输入电压噪声密度(eN) | 40nV/√Hz@1kHz |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 10pA/℃ |
| 输出电流 | 20mA |
| 单电源电压 | 3V~36V |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制 |
| 分类 | 运算放大器 |
|---|---|
| 库存 | 38,624 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV |
| 压摆率(SR) | 500V/ms |
| 输入失调电流(Ios) | 4nA |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 静态电流(Iq) | 460uA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -18V~-2.5V； 2.5V~18V |
LM358BAIDR概述
运算放大器 0.5V/us 双路 10nA 1.2MHz
LM358BAIDR特性
暂无产品特性。
LM358BAIDR应用领域
暂无应用领域。