LM311DR2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
LM311DR2G
比较器 开集； 开射 7.5mV 5V~30V； 2.5V~15V 250nA
品牌
ON
封装
SOIC-8
库存
2,245
货期
现货
LM311DR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 45nA |
| 滞后电压(Vhys) | 1mV |
| 静态电流(Iq) | 13.8mA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | ±15V |
| 响应时间(tr) | 200ns |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 2,245 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 700uV |
| 传播延迟(tpd) | 200ns |
| 输出模式 | CMOS； TTL |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
| 单电源 | 5V~30V |
| 输入失调电流(Ios) | 1.7nA |
| 功能特性 | 内置迟滞 |
LM311DR2G概述
比较器 开集； 开射 7.5mV 5V~30V； 2.5V~15V 250nA
LM311DR2G特性
暂无产品特性。
LM311DR2G应用领域
暂无应用领域。