LM211QDR
IC
8-SOIC
可供量大可议
LM211QDR
比较器 开集； 开射 3mV 3.5V~30V； 1.75V~15V 100nA SOIC-8
品牌
TI
封装
8-SOIC
库存
2,913
货期
现货
LM211QDR参数
| 封装 | 8-SOIC |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 两年外 |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 100nA |
| 输出类型 | 开集 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 单电源 | 3.5V~30V |
| 输入失调电流(Ios) | 4nA |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 2,913 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV |
| 传播延迟(tpd) | 165ns |
| 输出模式 | CMOS； TTL |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | ±15V |
| 功能特性 | 失调电压调零； 使能/关断功能 |
LM211QDR概述
比较器 开集； 开射 3mV 3.5V~30V； 1.75V~15V 100nA SOIC-8
LM211QDR特性
暂无产品特性。
LM211QDR应用领域
暂无应用领域。