LM211DR
IC
8-SOIC
可供量大可议
LM211DR
比较器 开集； 开射 3mV 3.5V~30V； 1.75V~15V 100nA
品牌
TI
封装
8-SOIC
库存
13,597
货期
现货
LM211DR参数
| 封装 | 8-SOIC |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 比较器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 75nA |
| 输出类型 | 开集 |
| 静态电流(Iq) | 6mA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | ±15V |
| 功能特性 | 失调电压调零； 使能/关断功能 |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 13,597 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 700uV |
| 传播延迟(tpd) | 165ns |
| 输出模式 | TTL； CMOS |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 单电源 | 3.5V~30V |
| 输入失调电流(Ios) | 10nA |
LM211DR概述
比较器 开集； 开射 3mV 3.5V~30V； 1.75V~15V 100nA
LM211DR特性
暂无产品特性。
LM211DR应用领域
暂无应用领域。