LM2104DR
IC
SOIC(D)| 8
可供量大可议
LM2104DR
107-V, 0.5-A/0.8-A half-bridge gate driver with 8-V UVLO, dead time and shutdown
品牌
TI
封装
SOIC(D)| 8
库存
3,000
货期
现货
LM2104DR参数
| 封装 | SOIC(D)| 8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 800mA |
| 工作电压 | 9V~18V |
| 下降时间(tf) | 18ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.3V |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 3,000 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 500mA |
| 上升时间(tr) | 28ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 1.45V~2V |
| 静态电流(Iq) | 430uA |
LM2104DR概述
107-V, 0.5-A/0.8-A half-bridge gate driver with 8-V UVLO, dead time and shutdown
LM2104DR特性
暂无产品特性。
LM2104DR应用领域
暂无应用领域。