LM193DR
IC
SOIC-8
可供量大可议
LM193DR
比较器 开集 5mV 1V~18V； 2V~36V 100nA
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
13,276
货期
现货
LM193DR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 比较器数 | 双路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 25nA |
| 输出类型 | 开漏 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
| 单电源 | 2V~30V |
| 输入失调电流(Ios) | 3nA |
| 分类 | 比较器 |
|---|---|
| 库存 | 13,276 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV |
| 传播延迟(tpd) | 300ns |
| 输出模式 | TTL； MOS； CMOS |
| 静态电流(Iq) | 400uA |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~18V； -18V~-1V |
| 响应时间(tr) | 1.3us |
LM193DR概述
比较器 开集 5mV 1V~18V； 2V~36V 100nA
LM193DR特性
暂无产品特性。
LM193DR应用领域
暂无应用领域。