LM-PESD2ETH1GXT-QR
IC
SOT-23
可供量大可议
LM-PESD2ETH1GXT-QR
特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV， 接触放电 ±25kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 符合RoHS标准。 应用：Open Alliance IEEE 100/1000BASE-T1以太网。 低压差分信号（LVDS）
品牌
Leiditech
封装
SOT-23
库存
805
货期
现货
LM-PESD2ETH1GXT-QR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 805 |
LM-PESD2ETH1GXT-QR概述
特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV， 接触放电 ±25kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 符合RoHS标准。 应用：Open Alliance IEEE 100/1000BASE-T1以太网。 低压差分信号（LVDS）
LM-PESD2ETH1GXT-QR特性
暂无产品特性。
LM-PESD2ETH1GXT-QR应用领域
暂无应用领域。