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LKS1D5007DT
IC

ESOP-13

可供量大可议

LKS1D5007DT

内置高性能500V/7A MOSFET 内置自举二极管 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性 门极驱动电压范围支持10V~20V 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V 高侧和低侧均支持UVLO 内置死区避免上下管直通 内置温度采样 应用于高速风筒、风扇、电动工具等

品牌

LINKOSEMI

封装

ESOP-13

库存

7

货期

现货

LKS1D5007DT参数

封装ESOP-13
品牌LINKOSEMI(凌鸥创芯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类智能功率模块(IPM)
库存7

LKS1D5007DT概述

内置高性能500V/7A MOSFET 内置自举二极管 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性 门极驱动电压范围支持10V~20V 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V 高侧和低侧均支持UVLO 内置死区避免上下管直通 内置温度采样 应用于高速风筒、风扇、电动工具等

LKS1D5007DT特性

暂无产品特性。

LKS1D5007DT应用领域

暂无应用领域。

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