LJ6401PT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
LJ6401PT1G
特性：P沟道MOSFET， 电压(VDS)：-12V， 电流 (ID)：-4.3A (TA=25°C)， -3.4 A (TA=70°C)。 超低导通电阻， 开关速度快。 低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关， 用于可穿戴设备、智能手机等。
品牌
ALJ
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
LJ6401PT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ALJ(龙晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
LJ6401PT1G概述
特性：P沟道MOSFET， 电压(VDS)：-12V， 电流 (ID)：-4.3A (TA=25°C)， -3.4 A (TA=70°C)。 超低导通电阻， 开关速度快。 低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关， 用于可穿戴设备、智能手机等。
LJ6401PT1G特性
暂无产品特性。
LJ6401PT1G应用领域
暂无应用领域。