LJ4N80D
IC
TO-252
可供量大可议
LJ4N80D
特性：高电流额定值。 低RDS(on)。 低电容。 低总栅极电荷。 更严格的VSD规格。 规定雪崩能量。 N沟道功率MOSFET
品牌
luJing
封装
TO-252
库存
1,605
货期
现货
LJ4N80D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | luJing(鲁晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1605 |
LJ4N80D概述
特性：高电流额定值。 低RDS(on)。 低电容。 低总栅极电荷。 更严格的VSD规格。 规定雪崩能量。 N沟道功率MOSFET
LJ4N80D特性
暂无产品特性。
LJ4N80D应用领域
暂无应用领域。