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LJ30N100
IC

TO-220AB

可供量大可议

LJ30N100

N沟道增强型功率MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低导通电阻和低栅极电荷

品牌

luJing

封装

TO-220AB

库存

3,090

货期

现货

LJ30N100参数

封装TO-220AB
品牌luJing(鲁晶)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存3090

LJ30N100概述

N沟道增强型功率MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低导通电阻和低栅极电荷

LJ30N100特性

暂无产品特性。

LJ30N100应用领域

暂无应用领域。

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