LGE3M650170B
IC
TO-247-3
可供量大可议
LGE3M650170B
商品目录 碳化硅MOS管； 漏源电压（VDS）1700 V； 漏极电流 （ID@25℃）7.0A； RDS(ON)650mΩ； 耗散功率（PD）62W
品牌
LGE
封装
TO-247-3
库存
30
货期
现货
LGE3M650170B参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
LGE3M650170B概述
商品目录 碳化硅MOS管； 漏源电压（VDS）1700 V； 漏极电流 （ID@25℃）7.0A； RDS(ON)650mΩ； 耗散功率（PD）62W
LGE3M650170B特性
暂无产品特性。
LGE3M650170B应用领域
暂无应用领域。