LGE2310
IC
SOT-23
可供量大可议
LGE2310
商品目录 场效应管(MOSFET)； 类型 1个N沟道； 漏源电压(Vdss) 60V； 连续漏极电流(Id) 3A； 功率(Pd) 350mW； 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id) 105mΩ@10V, 3A； 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V； 栅极电荷(Qg@Vgs) 6nC； 输入电容(Ciss@Vds) 274pF； 反向传输电容(Crss@Vds) 19.5pF
品牌
LGE
封装
SOT-23
库存
1,570
货期
现货
LGE2310参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1570 |
LGE2310概述
商品目录 场效应管(MOSFET)； 类型 1个N沟道； 漏源电压(Vdss) 60V； 连续漏极电流(Id) 3A； 功率(Pd) 350mW； 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id) 105mΩ@10V, 3A； 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V； 栅极电荷(Qg@Vgs) 6nC； 输入电容(Ciss@Vds) 274pF； 反向传输电容(Crss@Vds) 19.5pF
LGE2310特性
暂无产品特性。
LGE2310应用领域
暂无应用领域。