库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
LFUSCD10065A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LFUSCD10065A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A。 其低漏电流与较高浪涌能力相结合, 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效电能转换系统, 在保障可靠运行的同时有助于降低导通损耗与热管理复杂度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

LFUSCD10065A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

LFUSCD10065A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A。 其低漏电流与较高浪涌能力相结合, 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效电能转换系统, 在保障可靠运行的同时有助于降低导通损耗与热管理复杂度。

LFUSCD10065A-HXY特性

暂无产品特性。

LFUSCD10065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件