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LFUSCD08065A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LFUSCD08065A-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通效率。 在瞬态过载条件下, 器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合, 有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能, 适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

LFUSCD08065A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

LFUSCD08065A-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通效率。 在瞬态过载条件下, 器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合, 有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能, 适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。

LFUSCD08065A-HXY特性

暂无产品特性。

LFUSCD08065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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