LFUSCD08065A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
LFUSCD08065A-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通效率。 在瞬态过载条件下, 器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合, 有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能, 适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
LFUSCD08065A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
LFUSCD08065A-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备优异的导通效率。 在瞬态过载条件下, 器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合, 有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能, 适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。
LFUSCD08065A-HXY特性
暂无产品特性。
LFUSCD08065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
