LF356M/NOPB
IC
SOIC-8
可供量大可议
LF356M/NOPB
LF356 单通道、36V、5MHz、高压摆率 (12V/μs)、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
2,986
货期
现货
LF356M/NOPB参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 静态电流(Iq) | 7mA |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
| 输入电压噪声密度(eN) | 12nV/√Hz@1kHz |
| 功能特性 | 大容性负载驱动； 内置补偿 |
| 商品型号 | LF356M/NOPB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000173 |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 2986 |
| 增益带宽积(GBW) | 2.5MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 10mV |
| 压摆率(SR) | 7.5V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 5uV/℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -15V~15V |
| 输入失调电流(Ios) | 3pA |
| 商品名称 | LFx5x JFET 输入运算放大器 |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | FET输入运放 |
LF356M/NOPB概述
LFx5x系列器件是首批在同一芯片上集成了高电压JFET与标准双极型晶体管（BI-FET技术）的单片JFET输入运算放大器。 这些放大器具有低输入偏置电流和失调电流、低失调电压及低失调电压漂移的特点， 并且带有不会降低漂移或共模抑制比的失调调节功能。 此外， 这些器件还设计有高摆率、宽频带、极快的建立时间、低电压噪声和电流噪声以及低1/f噪声拐点。
LF356M/NOPB特性
暂无产品特性。
LF356M/NOPB应用领域
暂无应用领域。