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LF353DT
IC

SO-8

可供量大可议

LF353DT

FET输入运放 16V/us 3mV 20pA 4MHz

Brand

ST

Package

SO-8

Stock

33

货期

现货

LF353DTParameters

封装SO-8
品牌ST(意法半导体)
批次两年内
放大器数双路
输入偏置电流(Ib)20pA
共模抑制比(CMRR)86dB
静态电流(Iq)1.4mA
输出电流40mA
单电源电压6V~36V
输入电压噪声密度(eN)15nV/√Hz@1kHz
功能特性短路保护; 内置补偿; 闩锁效应抑制
分类FET输入运放
库存33
MOQ / SPQ1 / 1
增益带宽积(GBP)4MHz
输入失调电压(Vos)3mV
压摆率(SR)16V/us
输入失调电压温漂(Vos TC)10uV/℃
工作温度0℃~+70℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
输入失调电流(Ios)5pA

LF353DT概述

FET输入运放 16V/us 3mV 20pA 4MHz

LF353DT特性

暂无产品特性。

LF353DT应用领域

暂无应用领域。

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