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LESD8D24CT5G-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

LESD8D24CT5G-HXY

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为24V系统设计, 提供单通道强效保护。 具备5A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路在高电压环境下免受静电损伤。 其15pF结电容适配高速接口应用, 兼具高性能与可靠ESD防护, 在严苛条件下维持信号完整性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

320

货期

现货

LESD8D24CT5G-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存320

LESD8D24CT5G-HXY概述

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为24V系统设计, 提供单通道强效保护。 具备5A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路在高电压环境下免受静电损伤。 其15pF结电容适配高速接口应用, 兼具高性能与可靠ESD防护, 在严苛条件下维持信号完整性。

LESD8D24CT5G-HXY特性

暂无产品特性。

LESD8D24CT5G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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