LESD8D24CT5G-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
LESD8D24CT5G-HXY
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为24V系统设计, 提供单通道强效保护。 具备5A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路在高电压环境下免受静电损伤。 其15pF结电容适配高速接口应用, 兼具高性能与可靠ESD防护, 在严苛条件下维持信号完整性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
320
货期
现货
LESD8D24CT5G-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 320 |
LESD8D24CT5G-HXY概述
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为24V系统设计, 提供单通道强效保护。 具备5A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路在高电压环境下免受静电损伤。 其15pF结电容适配高速接口应用, 兼具高性能与可靠ESD防护, 在严苛条件下维持信号完整性。
LESD8D24CT5G-HXY特性
暂无产品特性。
LESD8D24CT5G-HXY应用领域
暂无应用领域。
