LESD8D12CT5G-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
LESD8D12CT5G-HXY
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管， 专为12V系统提供高级别的单通道保护。 具备高达8A的峰值脉冲电流IPP能力， 有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击， 确保电子设备免受静电损害。 8pF低结电容设计有助于保持高速信号线路传输质量， 是现代高性能接口及便携式电子设备的理想ESD防护解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
28,050
货期
现货
LESD8D12CT5G-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 28050 |
LESD8D12CT5G-HXY概述
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管， 专为12V系统提供高级别的单通道保护。 具备高达8A的峰值脉冲电流IPP能力， 有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击， 确保电子设备免受静电损害。 8pF低结电容设计有助于保持高速信号线路传输质量， 是现代高性能接口及便携式电子设备的理想ESD防护解决方案。
LESD8D12CT5G-HXY特性
暂无产品特性。
LESD8D12CT5G-HXY应用领域
暂无应用领域。