LESD5D5.0CT1G-MS
IC
SOD-523
可供量大可议
LESD5D5.0CT1G-MS
特性：小外形尺寸。 低本体高度。 8 x 20 μs脉冲下峰值功率高达200瓦。 低泄漏电流。 响应时间通常 < 1 ns。 人体模型静电放电等级为3级（>16 kV）。 应用：手机。 便携式设备
品牌
MSKSEMI
封装
SOD-523
库存
13,950
货期
现货
LESD5D5.0CT1G-MS参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 13950 |
LESD5D5.0CT1G-MS概述
特性：小外形尺寸。 低本体高度。 8 x 20 μs脉冲下峰值功率高达200瓦。 低泄漏电流。 响应时间通常 < 1 ns。 人体模型静电放电等级为3级（>16 kV）。 应用：手机。 便携式设备
LESD5D5.0CT1G-MS特性
暂无产品特性。
LESD5D5.0CT1G-MS应用领域
暂无应用领域。