LESD11LL5.0CT5G-HXY
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
LESD11LL5.0CT5G-HXY
这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护。 拥有4A峰值脉冲电流IPP能力, 能快速响应并抑制双向静电放电, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用, 有效保障信号完整性, 是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
280
货期
现货
LESD11LL5.0CT5G-HXY参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 280 |
LESD11LL5.0CT5G-HXY概述
这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护。 拥有4A峰值脉冲电流IPP能力, 能快速响应并抑制双向静电放电, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用, 有效保障信号完整性, 是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。
LESD11LL5.0CT5G-HXY特性
暂无产品特性。
LESD11LL5.0CT5G-HXY应用领域
暂无应用领域。
