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LESD11LL5.0CT5G-HXY
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

LESD11LL5.0CT5G-HXY

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护。 拥有4A峰值脉冲电流IPP能力, 能快速响应并抑制双向静电放电, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用, 有效保障信号完整性, 是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

280

货期

现货

LESD11LL5.0CT5G-HXY参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存280

LESD11LL5.0CT5G-HXY概述

这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护。 拥有4A峰值脉冲电流IPP能力, 能快速响应并抑制双向静电放电, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用, 有效保障信号完整性, 是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。

LESD11LL5.0CT5G-HXY特性

暂无产品特性。

LESD11LL5.0CT5G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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