LDN3408ET1G
IC
SOT-23-6
可供量大可议
LDN3408ET1G
特性：ESD保护：2KV HBM。 RDS(ON)<75mΩ@VGS = 10V, ID = 3A。 RDS(ON)<90mΩ@VGS = 4.5V, ID = 2A。 RDS(ON)<150mΩ@VGS = 2.5V, ID = 1A。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
品牌
LRC
封装
SOT-23-6
库存
1,910
货期
现货
LDN3408ET1G参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1910 |
LDN3408ET1G概述
特性：ESD保护：2KV HBM。 RDS(ON)<75mΩ@VGS = 10V, ID = 3A。 RDS(ON)<90mΩ@VGS = 4.5V, ID = 2A。 RDS(ON)<150mΩ@VGS = 2.5V, ID = 1A。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
LDN3408ET1G特性
暂无产品特性。
LDN3408ET1G应用领域
暂无应用领域。