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LBZT52B8V2T1G
IC

SOD-123

可供量大可议

LBZT52B8V2T1G

特性:500mW功率耗散。 适用于表面贴装应用。 齐纳击穿电压范围为2.0V至36V。 提供无铅封装

品牌

LRC

封装

SOD-123

库存

20

货期

现货

LBZT52B8V2T1G参数

封装SOD-123
品牌LRC(乐山无线电)
MOQ / SPQ1 / 20
分类稳压二极管
库存20

LBZT52B8V2T1G概述

特性:500mW功率耗散。 适用于表面贴装应用。 齐纳击穿电压范围为2.0V至36V。 提供无铅封装

LBZT52B8V2T1G特性

暂无产品特性。

LBZT52B8V2T1G应用领域

暂无应用领域。

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