LBSS84LT1G
自营可供
IC
SOT-23(SOT-23-3)
LBSS84LT1G
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道
品牌
LRC
封装
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
批次
两年内
LBSS84LT1G参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 30pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48,072 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | LBSS84LT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
LBSS84LT1G概述
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道
LBSS84LT1G特性
- 节能
- 微型SOT
- 23表面贴装封装节省电路板空间
- 提供无铅封装
- 产品材料无卤素且符合RoHS要求
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
LBSS84LT1G应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、移动电话和无绳电话)的电源管理