LBSS138LT1G-MS
IC
SOT-23
可供量大可议
LBSS138LT1G-MS
MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-23
库存
1,620
货期
现货
LBSS138LT1G-MS参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1620 |
LBSS138LT1G-MS概述
MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
LBSS138LT1G-MS特性
暂无产品特性。
LBSS138LT1G-MS应用领域
暂无应用领域。