LBSS123LT1G
自营可供
IC
SOT-23(SOT-23-3)
LBSS123LT1G
场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道
品牌
LRC
封装
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
批次
26+
LBSS123LT1G参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | LBSS123LT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 182,834 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 输入电容(Ciss) | 20pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1e-05 |
LBSS123LT1G概述
场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道
LBSS123LT1G特性
- 提供无铅封装。
- 适用于汽车及其他需要特定生产地点和控制变更要求的应用的S前缀产品
- 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。