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L8550QLT1G
IC

SOT-23(SOT-23-3)

可供量大可议

L8550QLT1G

三极管(BJT) 225mW 25V 800mA PNP

品牌

LRC

封装

SOT-23(SOT-23-3)

库存

178,495

货期

现货

L8550QLT1G参数

封装SOT-23(SOT-23-3)
品牌LRC(乐山无线电)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)25V
直流电流增益(hFE)100
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
射基极击穿电压(Vebo)5V
分类三极管(BJT)
库存178,495
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)800mA
耗散功率(Pd)300mW
集电极截止电流(Icbo)150nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP

L8550QLT1G概述

三极管(BJT) 225mW 25V 800mA PNP

L8550QLT1G特性

暂无产品特性。

L8550QLT1G应用领域

暂无应用领域。

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