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L6393DTR
IC

SO-14

可供量大可议

L6393DTR

栅极驱动IC L6393DTR SO-14

品牌

ST

封装

SO-14

库存

2,498

货期

现货

L6393DTR参数

封装SO-14
品牌ST(意法半导体)
批次24+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)290mA
上升时间(tr)75ns
传播延迟 tpLH125ns
特性欠压保护(UVP); 过流保护(OCP)
输入高电平(VIH)1.9V~2.25V
静态电流(Iq)600uA
分类栅极驱动芯片
库存2,498
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT; MOSFET
灌电流(IOL)430mA
工作电压10V~20V
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpHL125ns
工作温度-40℃~+125℃
输入低电平(VIL)800mV~1.1V

L6393DTR概述

栅极驱动IC L6393DTR SO-14

L6393DTR特性

暂无产品特性。

L6393DTR应用领域

暂无应用领域。

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